W25Q64简介
W25Qxx系列是一种低成本、小型化、使用简单的非易失性存储器，常应用于数据存储、字库存储、固件程序存储等场景。
存储介质：Nor Flash（闪存）
时钟频率：80MHz / 160MHz (Dual SPI) / 320MHz (Quad SPI)
存储容量（24位地址）：
W25Q40： 4Mbit / 512KByte
W25Q80： 8Mbit / 1MByte
W25Q16： 16Mbit / 2MByte
W25Q32： 32Mbit / 4MByte
W25Q64： 64Mbit / 8MByte
W25Q128： 128Mbit / 16MByte
W25Q256： 256Mbit / 32MByte
W25Q64电路
WP（Write Protect）写保护，配合内部的寄存器配置，可以实现硬件的写保护，写保护低电平有效。
HOLD，数据保持，低电平有效。如果你在正常读写时，突然产生中断，想用SPI通信线去操控其他器件，这时如果把CS置回高电平，那时序就终止了；如果你又不想终止总线，又想操作其他器件，这就可以HOLD置低电平，这样芯片就HOLD住了，芯片释放总线，但是芯片的时序也不会终止，它会记住当前的状态，当你操作完其他的器件时，可以回过来，HOLD置回高电平，然后继续HOLD之前的时序。其实就相当于SPI总线进了一次“中断”。
W25Q64框图
W25Q64容量是8MB，如果不对空间进行划分，直接按照一整块来使用的话，那这一整块的容量就太大了，不利于管理，而且后续涉及到Flash擦除、写入的时候都会有个基本单元，我们要以基本单元为单位进行擦除或者写入。
所以，这里的8MB的存储空间，就有必要进行一些合理的划分。
常见的划分方式是：
一整块存储空间线划分为若干的块（Bolck），其中每一个块（Block）再划分为若干个扇区（Sector），而每一个扇区（Srctor）又会分成很多个页（Page）。
存储器以字节为单位，每个字节都有唯一的地址。W25Q64的地址宽度是24位，就是3个字节，我们可以看到这一整块存储器的地址是从00 00 00h~7F FF FFh。
在这整个空间中，我们以64KB为一个基本单元，把它划分成若干的块（Block）
。
。我们还要对块（Block）进行更细致的划分，分为很多个扇区（Sector）。
在一个块（Block）里，我们以4KB为一个单元，切成16份扇区（Sector）。
对于地址的划分，到扇区（Sector）就结束了，但是当我们写入数据时，还会有更细的划分，就是页（Page）。
页（Page）是对整个存储空间划分的，当然你也可以把它看作，在扇区里，再进行划分，都是一样的。页（Page）的大小是256个字节，一个扇区（Sector）是4KB，以256个字节划分，可以得到16页（Page）。
我们通过SPI，总共发送3个字节的地址，因为1页是256字节，所以一页内的字节地址，就取决于最低一个字节，而高位的2个字节，就对应的是页地址。所以我们发的3个字节地址，前两个字节会进到页地址锁存计数器中，最后一个字节，会进入到字节地址锁存计数器里。页地址通过写保护和行解码来选择要操作哪一页，字节地址，通过列解码和256字节页缓存来进行指定字节的读写操作。
Flash操作注意事项
写入操作时：
1.写入操作前，必须先进行写使能。
2.每个数据位只能由1改写为0，不能由0改写为1。意思就是Flash并没有像RAM那样的直接完全覆盖改写的能力。比如，在某个字节的存储单元里，存储了0XAA这个数据，对应的二进制就是1010 1010，如果我直接再次在这个存储单元写入一个新的数据0X55，二进制是0101 0101 ，当这个0101 0101要覆盖1010 1010时，就会失败，实际存储的是0000 0000。
3.写入数据前必须先擦除，擦除后，所有数据位变为1。为了弥补第二条的缺陷，Flash引入了“擦除”的概念，擦除会有专门的擦除电路进行，我们只要给他发送擦除的指令就行了，通过擦除电路擦除之后，所有的电路的数据位都变成1。
4.擦除必须按最小擦除单元进行。Flahs擦除有最小单元的限制，你不能指定某个字节的单独擦除，要擦除就需要擦除一大片，这一片具体是多大呢？可以使一整个存储区，也可以是按块（Block）擦除，最小也是按扇区（Sector）进行擦除，也就是最小擦除4KB的空间。
5.连续写入多字节时，最多写入一页的数据，超过页尾位置的数据，会回到页首覆盖写入。意思就是，你在写入的时候，一次性不能写太多，一个写入时序，最多只能写一页的数据，就是256字节。因为有个页缓冲区，它只有256字节。为什么会有页缓存区呢？因为Flash写的太慢，跟不上SPI的时序，所以需要一个RAM里暂存写入的数据。
6.写入操作结束后，芯片进入忙状态，不响应新的读写操作。为什么会忙呢？还是因为Flash写的太慢，页缓存器存的256个字节要慢慢的通过Flash写入。要想知道芯片什么时候结束忙状态了，我们可以使用读取状态寄存器的指令，看一下状态寄存器的BUSY位是否为1，BUSY位为0时，芯片就不忙了，我们再进行操作。
读取操作时：
直接调用读取时序，无需使能，无需额外操作，没有页的限制，读取操作结束后不会进入忙状态，但不能在忙状态时读取。
W25Q64芯片注意事项
W25Q64芯片的状态寄存器有两个，状态寄存器1和状态寄存器2，其中比较重要的是状态寄存器1，状态寄存器1又有两位是比较重要的：
1.第一个是BUSY位，BUSY位就是当芯片进行写入数据、擦除数据和写状态寄存器指令时，BUSY位置1，在这期间设备会忽略进一步的指令。
2.第二个是WEL位，写使能锁存位，在执行完写使能指令后，WEL置1，代表芯片可以进行写入操作了，当设备写失能时，WEL位清0。
什么时候WEL位写失能呢？
（1）、上电后，芯片默认写失能。
（2）、在执行完“写失能指令”、“页编程”和“扇区擦除”等这些写入操作后，WEL会置0。
这表明，当我们先写使能，再执行写入数据操作后，不需要再手动进行写失能了，因为写入操作后会顺便帮我们写失能。同时也表明，当我们在写入任何操作的时候，都需要来一遍写使能。
W25Q64芯片的指令集（Instruction）：
写使能，指令码：06h。
读状态寄存器1，指令码：05h。
页编程（写数据），指令码：02h。因为有256字节的限制，所以叫做页编程。
扇区擦除，指令码：20h。
JEDEC ID，指令码：9Fh。读取ID号的指令 ， 第一个字节是厂商ID，后面两个字节是设备ID。
读取数据，指令码：03h。